通过使用一种磁性绝缘材料，斯坦福大学和能源部SLAC国家加速器实验室的研究人员发现沿着这种材料晶粒的边界仍然可以获得电流。该研究不仅证实了长期以来研究人员的一个认识，即磁性绝缘体可用于导电，同时也为制造高性能磁性存储装置提供了可能。

这种材料是一种新近开发的钕、，铱和氧汞合金(ND2Ir2O7)。这种材料在东京大学和RIKEN研究机构中开发出来，是一种磁性材料。用传统的干点来看，它具有大量的未配对电子，可以使整个材料具有磁性。然而，和最近的从非磁性材料制备磁性材料不同，这种新材料中由于具有钕，从而可抵消混合材料中的其他部分，从而呈现出非磁性。

虽然这听起来可能有点违反直觉，但是它仅仅意味着，科学家可以充分利用材料的不同分子结构来观察很多不同寻常的电子行为，而这些在传统材料中是不可能存在的。虽然从传统方面来看，这种材料不可能导电，但是最新的研究表明这种材料的不寻常的混合物提供了沿其晶粒边界的磁畴进行传导的路径。在特定的温度下，配合微波能，这些区域会形成蛇形连续的路径，可以供电流运动。通过改变温度，这种材料也可以在导体和绝缘体之间之间转换，这种现象有助于其在高效磁性存储方面的应用。

“这为磁性材料作为存储媒介提供了更加直接的方式。当你阅读磁性存储内容的时候，你需要将磁性信息转化为电子信息，通常的方式是通过多层不同材料来实现；但是如果材料本身具有两种信息，那么你就可以忽略这一步了。”Zhi-Xun Shen实验室毕业生Eric Yue Ma说。斯坦福大学的团队采用了微波阻抗显微镜来观察这种材料的导体行为。这种方法通过一个非常细小的探针将微波能直接注入到基板上，并且测量器返回时的能量，其测量精度可以达到100纳米左右，同时该方法还允许研究人员测量材料的电学阻抗。

虽然这种材料的特殊性能只有在非常低的温度下（4.7 K左右），且只在测试频率下才能观察到。“这种实验方法真的非常漂亮，且这种测量技术对于很多材料都适用。磁畴的大小也非常重要。这意味着我们可以隔离单个磁畴，并且测量其性能。目前还有一个问题是如何确定磁畴的位置，我相信他们可以通过这项技术来解决这个难题。尽管这还只是一个基础物理问题，但是长期来看，人们可以将其用于很多领域。”加州大学圣芭芭拉分校物理学教授Leon Balents说。

该研究也表明，改变材料内部磁畴的组织或许可以为储存信息提供独特的方法。他们相信，通过加热或者弯曲材料等方法可以改变材料中的磁畴数量，从而改变其导电性能。这两种不同的状态——导电和不导电状态可以分别对应1和0，从而可用于储存信息。且科学家认为这种材料的稳定性将优于目前的FLASH存储方式，且其物理维度或许可以更低。